FET

10連勤です。金曜まで12連勤の予定です。頑張ります…さてさて、今日の朝はESCへFETを取り付け前に基板を綺麗にしました。はんだ吸い取りで綺麗にしてみました。無水エタノールもありますので綺麗に拭きとり。1つ取り付けていようかと思ったのですが、取り付けの3本の足の幅が微妙に大きくて基板の穴に差し込むことができなったので少し斜めにカットしました。カットしたら取り付けが可能になりましたが、FETの足の付け根の幅が大きかったので刺さるところまでにします。FET同士がくっ付くような

システムの低域用に使っている窪田式パワーアンプの出力に用いているUHC（ウルトラハイカレント）MOSFETのId（ドレイン電流）がどうなっているか不安だったので今回調べてみた。結論から言うと全く問題なかった。窪田登司先生が無線と実験（1997年4月号）で発表された「オールFET構成UHCMOS-FETAB級20Wパワーアンプ」を参考に同じものを２台製作した。ブリッジ接続で各々モノアンプとしてタッドのウーファーを強力にドライブしている。窪田先生考案のオールFETパワーアンプ無線と実験1

IC-910D送信パワーが両バンド共30W程度です。両バンド共通のドライブFETが劣化していました、交換EME仕様フルパワー出ました。受信感度再調整、周波数再調整。Sメーターの補正はテストモードで行いました。交換部品清掃完了です。